供应青岛福润德牌frd-101PECVD设备

  • 总供应量500
基本信息:
  • CCC功率
    220(W)
    是最大电压
    220(V)
  • 淀积规格
    500*600
    福润德额定温度
    1231(℃)
详细信息:

满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜工艺。

用等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)是在等离子的帮助下进行处理的薄膜沉积工艺。在众多的等离子产生办法中,泰斯达PECVD反应系统使用了高密度的等离子源,如高频(RF-PECVD)、微波(MW-PECVD)和电子回旋共振(ECR-PECVD)。其浓密的等离子适用于薄膜太阳能电池、表面改性、光和工业镀覆、氮化硅钝化、金刚石薄膜和其他。泰斯达所提供的PECVD系统可为客户个体制造和研发需求量身定制。

RF-PECVD

非晶和微晶硅薄膜可以通过RF-PECVD进行高经济效益的沉积。这些薄膜组成了非晶硅太阳能电池的吸光层或串联硅电池(非晶硅 微晶硅)。我们提供了为客户设计的RF-PECVD系统,可以在任何类型的太阳能电池上使用。非晶硅太阳能电池的泰斯达标准的RF-PECVD系统被配置为四个处理室群。其设计可处理高达12"/300 mm见方的基板。处理室可以自动或手动装载。这个系统是与FCS-10/30处理控制器和DCS30数据收集系统同时出现的。