ALN干压片

氮化铝陶瓷具有优良的导热性（为氧化铝陶瓷的5-10倍），较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，作为新一代的陶瓷材料，越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷，品质领先国内同类产品，具有国际先进水平，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k）

≥170

体积电阻率（Ω·cm）

＞1013

介电常数[1MHz,25℃]

9

介电损耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度（g/cm3）

≥3.30

表面粗糙度Ra(µm)

0.3~0.5

热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃)

4.6

抗弯强度(MPa)

320~330

弹性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度))

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1µm；

2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，小值±0.10mm；

3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。