详细信息：
8英寸氧化硅片衬底单晶硅片
直径 8英寸
生长方式 直拉/区熔
导电类型 P型/N型/本征
晶圆方向 0 - 100 ohm.cm
抛光: 单面/双面
总厚 720± 20微米
弯曲度 小于等于50微米
翘曲度 小于等于50微米
总厚度偏差 小于等于25微米
直径 200± 0.5微米
晶格缺陷:无
电阻率 : 可定制
激光打标： 可定制
particle: 小于等于0.3微米小于等于30
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