图1 NDFD-Z 动作记数器的原理图
NDFD-Z 型;(b)NDFD-Z 8
R1、R2—非线性电阻;C—贮能电容器
L—记数器线圈;D1~D4—硅二极管
图1所示为NDFD-Z 型动作记数器的原理接线图。图1(a)为NDFD-Z 型动作记数器的基本结构,即所谓的双阀片式结构。当避雷器动作时,放电电流流过阀片R1,在R1上的压降经阀片R2给电容器C 充电,然后C再对电磁式记数器的电感线圈L放电,使其转动1格,记1次数。改变R1及R2的阻值,可使记数器具有不同的灵敏度。一般最小动作电流为100A(8/20μs)的冲击电流。因R1上有一定的压降,将使避雷器的残压有所增加,故它主要用于40kV以上的高压避雷器。
图1(b)表示 NDFD-Z 8型动作记数器的结构,系整流式结构。避雷器动作时,高温阀片R1上的压降经全波整流给电容器C充电,然后C再对电磁式记数器的L放电,使其记数。该记数器的阀片R1的阻值较小(在10kA时的压降为1.1kV),通流容量较大( 1200A方波),最小动作电流也为100A(8/20 s)的冲击电流。NDFD-Z8型记数器可用于6.0~ 330kV系统的避雷器,NDFD-Z8A型记数器可用于 500kV系统的避雷器。